[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110675284.4 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113484948B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 陈建宏;卓联洲;陈焕能;徐敏翔;郭丰维;林志昌;宋巍巍;周淳朴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的半导体结构包括掩埋氧化物层、设置在掩埋氧化物层上方的第一介电层、设置在第一介电层中的第一波导部件、设置在第一介电层和第一波导部件上方的第二介电层、设置在第二介电层上方的第三介电层以及设置在第二介电层和第三介电层中的第二波导部件。第二波导部件设置在第一波导部件上方，并且第二波导部件的部分与第一波导部件的部分垂直地重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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