[发明专利]三维(3D)垂直存储器中的金属绝缘体半导体(MIS)接触在审
| 申请号： | 202110676085.5 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN114121814A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | K·M·考尔道;D·C·潘迪;杨立涛;S·普卢居尔塔;高云飞;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及三维3D垂直存储器中的金属绝缘体半导体MIS接触。提供用于垂直堆叠存储器单元阵列的系统、方法及设备，所述垂直堆叠存储器单元阵列具有水平定向存取器装置，其具有通过沟道区域分开的第一源极/漏极区域及第二源极漏极区域，以及与所述沟道区域相对的栅极；垂直定向存取线，其耦合到所述栅极并通过栅极电介质与沟道区域分开。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极/漏极区域的水平定向存储节点及耦合到所述第一源极/漏极区域的水平定向数字线。在一个实例中，绝缘体材料形成在所述第一源极/漏极区域的表面上，且导体材料形成在所述绝缘体材料上，以在所述水平定向数字线与所述水平定向存取装置的所述第一源极/漏极区域之间形成金属绝缘体半导体MIS界面。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 垂直 存储器 中的 金属 绝缘体 半导体 mis 接触 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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