[发明专利]一种全超结MOSFET器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110677182.6 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113345954A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 陈雪萌;王艳颖;钱晓霞;汤艺 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全超结MOSFET器件结构及其制造方法，包括MOSFET器件结构本体，所述MOSFET器件结构本体分为终端区和原胞区，且所述终端区和原胞区均主要包括由下到上依次布置的N外延硅衬底、第一外延层和第二外延层，且所述第二外延层的厚度大于第一外延层的厚度；所述终端区和原胞区的第二外延层内均交错设置有P柱和N柱，所述原胞区内P柱的深度小于第二外延层的厚度，所述终端区内P柱的深度大于第二外延层的厚度并延伸设置在第一外延层内；所述终端区的第二外延层上表面设置有P型区域及氧化层，所述原胞区的第二外延层上表面设置有体区及栅极和源极，所述N外延硅衬底背离第一外延层的一侧设置有漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全超结 mosfet 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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