[发明专利]用于氮化物外延材料的衬底预处理方法及外延材料在审
| 申请号： | 202110678123.0 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113628955A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 郭艳敏;尹甲运;李佳;王波;张志荣;芦伟立;高楠;房玉龙;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于氮化物材料制备方法技术领域，提供了一种用于氮化物外延材料的衬底预处理方法及外延材料。其中，用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，在衬底上生长外延材料之前还包括以下步骤：将衬底设置在反应室内、并将衬底升温至700℃‑1600℃；向反应室内通入MO源和载气对衬底表面进行预处理，MO源为三甲基镓、三甲基铟或三乙基镓中的一种或多种；达到预设时间后，停止通入MO源。本申请提供的用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，在生长外延材料之前，首先对衬底进行预处理，一方面可清洁衬底，另一方面可在衬底表面形成如自由基、原子、离子等微粒，这些微粒可以改善氮化物外延材料的晶体质量，进而改善器件的功率、频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 外延 材料 衬底 预处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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