[发明专利]半导体工艺设备及其混合进气装置

摘要

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其混合进气装置。该混合进气装置包括：混合进气块及盖体组件；混合进气块内具有第一环形腔及多个进气通道，第一环形腔与顶部与多个进气通道连通，底部与盖体组件中的混气通道连通；多个进气通道均沿第一环形腔的切向延伸设置，并且多个进气通道的出气口沿第一环形腔的周向均匀分布；盖体组件的顶部居中位置设置有上述混合进气块，盖体组件的底部盖合于工艺腔室顶部，盖体组件中设置有上述混气通道，用于将混合进气块内的工艺气体再次混合并匀流后输入工艺腔室内。本申请实施例实现了在工艺气体到达晶圆表面前有效地改善工艺气体浓度分布，从而能够在有效缩短工艺时间的同时大幅改善晶圆成膜均匀性。