[发明专利]一种保护芯片钝化前清洗制造工艺

摘要

本发明公开了一种保护芯片钝化前清洗制造工艺，包括以下步骤：1)沟槽腐蚀前处理：将沟槽光刻完的产品放入120°烘箱20分钟；2)去除沟槽内氧化层：沟槽内的氧化层放入40℃BOE内腐蚀10分钟，冲水；3)沟槽腐蚀：用氢氟酸硝酸冰乙酸水混合酸腐蚀沟槽，沟槽深度根据产品要求作业；4)去挂边：用超声清洗去除沟槽边缘氧化层；5)硝化酸清洗；6)硫酸双氧水清洗；7)电泳玻璃：电泳玻璃粉，烧结；8)引线孔光刻；9)蒸发金属；10)金属光刻；11)测试，本发明操作方法简单，增加硝化酸清洗，沟槽腐蚀后，PN结裸漏出来，稀硝酸将硅轻微氧化形成阻挡层，阻挡层能有效阻挡外界沾污，在作业电泳前更好的保护裸漏的PN结，提升整体产出率。