[发明专利]一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器在审

专利信息
申请号: 202110682234.9 申请日: 2021-06-20
公开(公告)号: CN113381722A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 吴伟敏 申请(专利权)人: 深圳市封神微电子有限公司
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H9/02
代理公司: 杭州昊泽专利代理事务所(特殊普通合伙) 33449 代理人: 黄前泽
地址: 518107 广东省深圳市光明区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种抑制能量泄露和寄生的高Q值薄膜体声波谐振器,在衬底上刻蚀有空腔,空腔上覆盖有下电极;衬底上位于下电极周围沉积下部声反射层,且下部声反射层与下电极接触;下部声反射层以及下电极上沉积压电层,压电层上沉积上电极和上部声反射层;上部声反射层位于上电极周围,并与上电极接触;压电层中刻蚀出到下电极上表面的通孔一,压电层和下电极中刻蚀出到牺牲层上表面的通孔二;通孔一中以及压电层上远离上电极的方向上沉积接触电极;接触电极与下电极相连。本发明的下部声反射层有效减小纵向声波和横向声波的耦合,减少谐振器的寄生;上部声反射层抑制能量从纵波传递到横波,提高谐振器Q值。
搜索关键词: 一种 抑制 能量 泄露 寄生 薄膜 声波 谐振器
【主权项】:
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