[发明专利]一种铪基铁电存储器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110683895.3 申请日: 2021-06-21
公开(公告)号: CN113437049B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 朱颢;陈佩瑶;刘逸伦;曹园园;孙清清 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L27/11507;H01L21/02;C23C16/40
代理公司: 北京得信知识产权代理有限公司 11511 代理人: 孟海娟
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种铪基铁电存储器及其制备方法。该铪基铁电存储器包括多个铪基铁电存储器单元,所述铪基铁电存储器单元包括:衬底;底电极,形成在所述衬底上;铪基铁电体,其为经退火后的铪铝氧薄膜,形成在所述底电极上;顶电极,形成在所述铪铝氧薄膜上。基于高质量的铁电HAO薄膜形成非易失性铁电存储器单元,实现了长期保持,高耐用性和稳定的存储特性,以及高剩余极化强度,并利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路,实现了存算一体的功能。
搜索关键词: 一种 铪基铁电 存储器 及其 制备 方法
【主权项】:
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