[发明专利]金属栅的制造方法在审
| 申请号： | 202110684650.2 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113506742A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 姚周;刘厥扬;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属栅的制造方法，包括：步骤一、提供形成有非晶硅伪栅的半导体衬底，在非晶硅伪栅底部形成有第一栅介质层，在非晶硅伪栅之间的间隔区中填充有第零层层间膜。步骤二、去除非晶硅伪栅，包括：步骤21、进行第一次干法刻蚀去除部分厚度的非晶硅伪栅。步骤22、进行DPN处理形成第零层层间膜表层。步骤23、进行第二次湿法刻蚀将剩余的非晶硅伪栅都去除。步骤三、进行第三次刻蚀以去除第一栅介质层，第零层层间膜表层减少第三次刻蚀对第零层层间膜的刻蚀速率并从而减少第零层层间膜的损耗。步骤四、形成第二栅介质层和金属栅。本发明能去除栅介质层时减少第零层层间膜的损耗表面并提高平坦性，能提高后续金属栅的填充和CMP的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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