[发明专利]一种三维存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202110684678.6 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113437082B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏;谢飞;王猛;姚森 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27;H10B43/50;H10B43/10 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘恋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种三维存储器及其制造方法。所述方法包括：形成掩膜层，所述掩膜层包括沿第一方向延伸的第一开口；所述第一开口包括沿第一方向交替设置的第一部分和第二部分；通过所述第一开口对堆叠结构进行刻蚀，形成对应于第一部分的第一沟槽和对应于第二部分的第二沟槽，所述第一沟槽贯穿所述堆叠结构，且所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度。本申请的实施例提供的方法形成栅缝隙时，能够避免出现整条栅缝隙贯穿整个堆叠结构而导致的存储块倾斜甚至坍塌的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110684678.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
