[发明专利]一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法有效
| 申请号： | 202110685746.0 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113488592B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李世光;杜文鹏;吴晓雅;李志捷;李忠盛;杨珂;甘涵臣 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H10K71/16 | 分类号： | H10K71/16;H10K71/60;H10K71/20;H10K10/84;H10K10/46 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 刘娜 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法，在制备电极时先蒸镀铬再蒸镀铜主要是为了通过铬来增加电极的粘附性，在去胶时对电极无损伤；在将用来修饰铜电极的材料PFBT与无水乙醇以1:10的比例混合，通过材料的挥发性，在真空中挥发到制备器件的电极上，因为挥发修饰，硫醇能在金属表面形成自组装的单分子薄膜，从而在电极表面形成自组装单层，通过形成的自组装单层进而降低了并五苯表面粗糙度以及电极和并五苯之间的注入势垒，提高了并五苯迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pfbt 蒸发 有机 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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