[发明专利]高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法在审
| 申请号： | 202110686477.X | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113481477A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 石煜;曾墩风;王志强;李小龙;田晓磊 | 申请（专利权）人： | 芜湖映日科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C4/134;C23C4/04;C23C4/137;C23C4/16 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 杨静 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市中国(安徽)自*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法，通过采用6N多晶硅重掺原料和5N多晶硅高阻原料进行破碎成粉得到6N多晶硅半成品原料和5N多晶硅半成品半成品原料，将6N多晶硅半成品原料和5N多晶硅半成品半成品原料混合稀释制得杂质含量低的高纯硅粉末，这样喷涂制得的靶材杂质含量降低，尤其是B，提高靶材在镀膜过程产品的透过率，LAB值≥93%，减低客户使用成本及满足客户大尺寸产品镀膜需求。 | ||
| 搜索关键词： | 透过 旋转 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
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