[发明专利]一种极紫外GaN UV-LED外延结构在审
| 申请号： | 202110686783.3 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299807A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 南琦;刘银 | 申请（专利权）人： | 木昇半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02;H01L33/64;H01L33/04;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 闫露露 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种极紫外GaN UV‑LED外延结构，包括衬底层，衬底层上设有外延层，外延层设有多组，所述外延层等距离设置，且每组外延层之间设置有分隔层，所述外延层与衬底层之间设有划痕层，所述外延层包括半导体模板层、缓冲层、高温n‑GaN层、低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层、高温p‑AlGaN电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层，本发明通过将缓冲层采用多组交错叠加设置的GaAs层和AlGaAs层组成，使其具有良好的吸光效果，后期可将吸收的光射出，有效的提到的发光效率和二次出光效率，通过在衬底层内设置反光层，使得外延结构具有两组发光结构，提高极紫外GaN UV‑LED出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 gan uv led 外延 结构 | ||
【主权项】：
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