[发明专利]一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法在审
| 申请号： | 202110687422.0 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113388868A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杨光;李月;陈菊;惠越 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04;C25D1/20;C25D3/06 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361021 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种利用离散铬晶核制备自剥离超薄铜箔的方法，涉及用于制造印刷电路板和锂离子电池的超薄铜箔领域。通过在铜表面电沉积一层离散的Cr晶核用于铜箔的自剥离，离散的Cr晶核有效地降低铜箔与铜表面的结合力，实现铜箔的自剥离；在此剥离层上沉积的铜箔，厚度为1～4μm。利用三价Cr盐沉积金属离散晶核，避免六价铬的毒性，更环保。利用离散核实施自剥离，减少铜箔在存放时金属和Cu的扩散。在生产中能够方便地利用电源调节沉积参数，Cr晶核沉积只需几秒时间，沉积的剥离层分布均匀，方法简单，易于实施。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 离散 晶核 制备 剥离 超薄 铜箔 方法 | ||
【主权项】：
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