[发明专利]能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法及装置在审
| 申请号： | 202110688408.2 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113417003A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 伊冉;王黎光;张兴茂;闫龙;李小红 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法及装置，属于单晶硅生产技术领域。生产时，单晶硅原料化料后，增加降氧处理过程，对硅熔汤进行搅拌的同时，提高氩气流量至化料结束后氩气流量的1.5倍～3倍，和/或提高拉晶炉的炉内压力为化料结束后炉内压力的1.5倍～3倍，实践结果表明，采用上述手段能够有效地降低单晶硅晶棒的头部氧含量约50%，有效打破了大直径单晶硅晶棒头部氧含量无法进一步降低的技术瓶颈。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 降低 头部 含量 直径 单晶硅 生产 方法 装置 | ||
【主权项】：
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