[发明专利]真空处理装置和真空处理方法在审
| 申请号： | 202110688902.9 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113851391A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 吉田雄祐;中元茂;福地功祐;朝仓凉次 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙纪泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种真空处理装置，包括：处理单元，包括：设置在真空容器中的处理室；检测器，使用来自晶片的光在处理晶片期间检测晶片上的对象膜的厚度或终点，该检测器通过将预先获得的数据模式与真实数据模式进行比较来检测厚度或终点，预先获得的数据模式指示与膜厚度相关的多个波长的光强度并使用波长作为参数，真实数据模式指示在处理期间在特定时间获得的所述多个波长的光强度，并且数据模式是通过将所述多个波长的光强度的时间序列数据的微分系数值除以指示所述多个波长的光强度值的时间序列数据而获得的。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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