[发明专利]三维存储器及检测方法有效
| 申请号： | 202110689315.1 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113421834B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 王庆;陈金星 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种检测三维存储器的方法，该方法包括：部分移除衬底以暴露至少两个沟道结构的存储膜的一部分，以形成至少两个刻蚀区；向至少两个刻蚀区执行第一刻蚀，其中，第一刻蚀被配置为能够刻蚀掉沟道层与第一刻蚀的刻蚀材料接触到的部分；在执行第一刻蚀后，向至少两个刻蚀区执行第二刻蚀，其中，第二刻蚀被配置为能够刻蚀掉存储膜和填充层与第二刻蚀的刻蚀材料接触到的部分；以及比较执行第二刻蚀后的多个刻蚀区的形貌差异获得检测结果。该方法以较为简单的方式实现了微小缺陷的检出，具有大批量操作的可能性，避免因忽略了此类缺陷带来的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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