[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件包括：外围电路区域，包括第一基板和在第一基板上的电路器件；存储单元区域，包括在第一基板上的第二基板、在第二基板上的水平导电层、在垂直于第二基板的上表面的第一方向上堆叠在水平导电层上并彼此间隔开的栅电极、以及在第一方向上在栅电极中延伸的沟道结构，每个沟道结构包括与水平导电层物理接触的沟道层；以及贯通布线区域，包括在第一方向上延伸并将存储单元区域电连接到外围电路区域的贯通接触插塞、邻接贯通接触插塞的绝缘区域、以及在第一方向上部分地延伸到绝缘区域中的虚设沟道结构。