[发明专利]MZ型光强度调制器总成及制备方法在审
| 申请号： | 202110690268.2 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113281945A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李俊慧;王旭阳 | 申请（专利权）人： | 北京世维通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/21 | 分类号： | G02F1/21;G02F1/225;G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 任万玲;杨仁波 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MZ型光强度调制器总成及制备方法，MZ型光强度调制器总成包括：MZ型光强度调制器，由芯片以及固定于芯片上的波导组件和多个偏置电极构成；交换波导，设置于波导组件的输出直波导的至少一侧，且内嵌于芯片表面；光栅组件，与交换波导一一对应，且与交换波导背向芯片的一侧表面固定连接；光电探测器，与一个光栅组件固定连接；控制器，其输入端与光电探测器的输出端通信连接，以接收光电探测器输出的电流数据，控制器的输出端与偏置电极的被控端通信连接，以根据电流数据的变化控制调整偏置电极的偏置电压。本发明通过监测泄露光转化的电流控制调整偏置电压，对工作光没有任何影响，减小了光路损耗。 | ||
| 搜索关键词： | mz 强度 调制器 总成 制备 方法 | ||
【主权项】：
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