[发明专利]存储器件的制作方法有效
| 申请号： | 202110690553.4 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113506804B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 施洋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/00 | 分类号： | H10B41/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：在栅氧层上形成控制栅多晶硅层，栅氧层形成于衬底上，衬底的有源区的周侧形成有环绕的STI结构；在控制栅多晶硅层上形成ONO；在所述ONO上形成浮栅多晶硅层；通过光刻工艺进行刻蚀，去除目标区域的控制栅多晶硅层、ONO和浮栅多晶硅层，剩余的控制栅多晶硅层形成存储器件的控制栅，剩余的浮栅多晶硅层形成存储器件的浮栅；进行各向同性的回刻蚀，去除STI结构侧面的氮氧化硅残留。本申请在进行ONO刻蚀后，通过回刻蚀去除STI结构侧面的氮氧化硅残留，降低了器件的漏电现象，提高了了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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