[发明专利]考虑裂缝倾角的缝洞型储层新三孔隙度模型及构建方法有效

专利信息
申请号: 202110691519.9 申请日: 2021-06-22
公开(公告)号: CN113420441B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 王亮;田杰;司马立强;刘红歧;张浩 申请(专利权)人: 成都理工大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F17/15;G01V3/38
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 龚燮英
地址: 610059 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种考虑裂缝倾角的缝洞型储层新三孔隙度模型及构建方法,其构建方法包含:(1)利用Maxwell‑Garnett混合规则获得溶洞型储层的电阻率;(2)依据在缝洞型储层中任意裂缝倾角下的电导率以及电阻率与电导率互为倒数的关系,获得任意裂缝倾角的缝洞型储层电阻率;(3)基于缝洞型储层电阻率与地层水电阻率和缝洞型储层的总孔隙度的关系以及任意倾角的缝洞型储层电阻率、溶洞型储层的电阻率,构建所述的考虑裂缝倾角的缝洞型储层新三孔隙度模型。本发明的模型考虑到裂缝倾角,适用于发育不同角度裂缝的缝洞型储层孔隙度指数计算,能够更有效的进行缝洞型储层饱和度评价,具有更广的适用性。
搜索关键词: 考虑 裂缝 倾角 缝洞型储层新三 孔隙 模型 构建 方法
【主权项】:
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