[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法在审
| 申请号： | 202110692308.7 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113838956A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 松仓勇介;稻津哲彦;希利尔·贝诺 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供即使在具备具有一定大小以上的Al组成比的电子阻挡层的情况下也能抑制发光寿命下降的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件(1)具备：发光层(40)，其包含由AlGaN形成的阱层(44a～c)，发出紫外光；电子阻挡层(51、52)，其位于发光层(40)上，由具有比阱层(44a～c)的Al组成比大的第一Al组成比的AlGaN形成；以及p型包覆层(70)，其位于电子阻挡层(51、52)上，由具有比阱层(44a～c)的Al组成比大且比第一Al组成比小的第二Al组成比的AlGaN形成并掺杂有具有规定浓度的p型掺杂剂，在电子阻挡层(51、52)与p型包覆层(70)的界面掺杂有预定量以上的n型掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日机装株式会社，未经日机装株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110692308.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
