[发明专利]半导体存储器装置在审

专利信息
申请号: 202110695655.5 申请日: 2021-06-22
公开(公告)号: CN114497055A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 金炫哲;洪载昊;金容锡;金一权;徐亨源;柳成原;李炅奂 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11568 分类号: H01L27/11568;H01L27/11578
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 田野;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:第一导线,在垂直于基底的顶表面的第一方向上堆叠;第二导线,在第一方向上延伸,并且与第一导线相交;以及存储器单元,分别设置在第一导线与第二导线之间的多个相交点处。存储器单元中的每个存储器单元包括平行于基底的顶表面的半导体图案、围绕半导体图案的沟道区的第一栅电极和第二栅电极以及位于半导体图案与第一栅电极和第二栅电极中的每个之间的电荷存储图案,半导体图案包括具有第一导电类型的源区、具有第二导电类型的漏区以及在源区与漏区之间的沟道区。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置
【主权项】:
暂无信息
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