[发明专利]一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的检测系统有效
| 申请号： | 202110695821.1 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113410308B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 林和;牛崇实;黄宏嘉;洪学天;张维忠 | 申请（专利权）人： | 弘大芯源（深圳）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 赵银萍 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属‑氧化物半导体场效应晶体管的检测系统，基于控制模块建立所述晶体管各个组成部分从上至下的第一传热网络模型；建立所述晶体管内各组成部分从下至上的第二传热网络模型；将所述第一传热网络模型与所述第二传热网络模型进行比较，得到比较值，在确定所述比较值等于0时，表示所述第一传热网络模型与所述第二传热网络模型均构建正确；反之，还需对所述第一传热网络模型和/或所述第二传热网络模型进行模型修正；在确定所述第一传热网络模型与所述第二传热网络模型均构建正确时，计算晶体管内各组成部分的温度信息控制显示模块显示出来。实现对晶体管的准确检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 检测 系统 | ||
【主权项】：
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