[发明专利]一种多层RDL去层工艺在审
| 申请号： | 202110696714.0 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113510538A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 高峰;李苏佼;陈景亮;叶金明;戴伟峰 | 申请（专利权）人： | 闳康技术检测（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;C23F1/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种多层RDL去层工艺，涉及微电子技术领域，其包括如下步骤：步骤S1.对覆盖层进行研磨直至露出bump层；步骤S2.对bump层进行打磨，直至打磨RDL3层；步骤S3.去除RDL3表面的有机层，露出位于有机层下方的的走线层；步骤S4.去除走线层上布置的铜走线；步骤S5.对barrier层进行研磨、抛光处理；步骤S6.重复以上步骤对位于barrier层下方的RDL2层和RDL1层进行研磨处理，直至研磨至die层。本申请具有逐层分析检测效果较好的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 rdl 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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