[发明专利]一种压接型高压大功率芯片结构及功率器件在审
| 申请号： | 202110696913.1 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113421875A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘招成;李超;崔翔;李学宝;赵志斌 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 102206 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压接型高压大功率芯片结构，所述功率芯片结构包括：芯片半导体和四个金属保护层结构；四个所述金属保护层结构分别设置在所述芯片半导体的终端区结构的四个倒角区域。本发明的压接型高压大功率芯片结构在电场强度集中区域，即芯片半导体的终端区结构的四个倒角区域设置金属保护层结构，以改善压接型高压大功率芯片结构的电场分布，提升外部封装整体的绝缘能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接型 高压 大功率 芯片 结构 功率 器件 | ||
【主权项】：
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