[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110697564.5 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113437066A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 詹益旺;林刚毅;刘安淇;颜逸飞;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈敏;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包括一衬底。一第一接触结构设置在该衬底上，该第一接触结构包括一T形剖面形状，并且包括与该衬底接触的一第一部分以及位于该第一部分上的一第二部分。两第一栅极结构设置在该衬底上并且位于该第一接触结构的两侧，其中该第一接触结构的一顶面与该两第一栅极结构的顶面齐平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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