[发明专利]一种等离子刻蚀机的激励射频系统在审
| 申请号： | 202110697971.6 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN115513025A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 刘海洋;刘小波;孙宏博;郭颂;王铖熠;张霄;胡冬冬;许开东 | 申请（专利权）人： | 北京鲁汶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 马严龙 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体芯片生产设备技术领域，尤其是一种等离子刻蚀机的激励射频系统，等离子刻蚀机包括等离子反应腔，激励射频系统包括：介质窗，所述介质窗被构造成所述等离子反应腔的顶壁；射频线圈，所述射频线圈设在所述介质窗的上方；加热元件，所述加热元件贴合在所述介质窗的上表面且与所述介质窗直接接触，加热元件位于所述射频线圈和所述介质窗之间；匀温层，所述匀温层铺设在所述加热元件的上方且与所述加热元件直接接触。本发明可对介质窗及进气嘴底面进行彻底清洗，轰击副产物经底部抽气泵组抽走，本发明加热速率高、占用空间小，而且匀温效果好，可以避免加热板与介质窗之间因气泡的产生而损坏的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 刻蚀 激励 射频 系统 | ||
【主权项】：
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