[发明专利]一种下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110698922.4 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113359330A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈玉萍;吴江威;刘一岸;陈险峰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种下沉电极铌酸锂薄膜电光调制器，通过在铌酸锂薄膜脊型波导两侧制作下沉电极，使得电极间电场沿水平方向分布，增大了外加电场与波导内光场的相互作用。与现有共面电极结构铌酸锂薄膜电光调制器相比，本申请可以降低电光调制器半波电压，从而有效降低电光调制器功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 下沉 电极 铌酸锂 薄膜 电光 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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