[发明专利]一种Micro LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110699384.0 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113421952A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;刘时彪;张胡梦圆;宿志浩;刘亚莹 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种Micro LED芯片及其制备方法。其中制备方法包括：提供衬底；在衬底一侧依次形成n型氮化镓层、量子阱有源层以及p型氮化镓层；利用电感耦合等离子体ICP刻蚀技术，去除n电极区域的p型氮化镓层和量子阱有源层，露出n电极区域的n型氮化镓层；利用碱性溶液腐蚀部分n电极区域的n型氮化镓层；分别在p型氮化镓层和n型氮化镓层远离衬底的一侧形成p电极和n电极。本发明实施例的技术方案，可以有效降低ICP刻蚀后n型氮化镓层形貌的粗糙度，提高n电极蒸镀金属与n面的接触性，降低器件的工作电压，同时可去除ICP刻蚀后的损伤层，减轻ICP刻蚀对器件性能带来的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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