[发明专利]一种基于PTFE对TMDCs进行p型掺杂的方法及半导体有效
| 申请号： | 202110700563.1 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113451139B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 孙正宗;刘瀚祺;巴坤 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/385 | 分类号： | H01L21/385;H01L21/02;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 陆惠中;赵旭 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于PTFE对TMDCs进行p型掺杂的方法及半导体，属于先进半导体器件技术领域，方法为：将TMDCs材料转移到含氟的超平PTFE基底上，从而构建了一种TMDs和PTFE的垂直异质界面，该界面对TMDCs具有高效的空穴掺杂调控，通过测定转移后的TMDCs的光谱结构和荧光寿命，表征其能带结构的变化，可确定实现对TMDCs的p型掺杂，获得p型掺杂的TMDCs半导体，从而扩展了在光电或电子器件上的应用。本发明实现了在室温下对二维TMDCs从n型到p型掺杂的转换，调节效果长期、稳定且适合大规模生产要求，方法操作简便，具有单原子层可控掺杂精度，通过含氟化合物的强电负性效应实现对二维TMDCs的空穴掺杂型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ptfe tmdcs 进行 掺杂 方法 半导体 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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