[发明专利]一种无衬底超薄镍-63放射源的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110700586.2 申请日: 2021-06-23
公开(公告)号: CN113436775B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 苏冬萍;梁帮宏;罗婷;张劲松;甘泉;李顺涛;陈云明;王国华;姚亮;周春林 申请(专利权)人: 中国核动力研究设计院
主分类号: G21G4/04 分类号: G21G4/04;G21G4/06
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 唐邦英
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种无衬底超薄镍‑63放射源的制备方法,包括以下步骤:S1、将电沉积液中的镍金属离子沉积在铜衬底的一侧形成镍层;S2、在镍层上覆一层有机膜,即在镍层的两个对称面上分别为铜衬底和有机膜;S3、将步骤S2制备的镍‑63放射源浸没在衬底去除溶液中去除铜衬底;S4、去除步骤S3制备的无衬底镍‑63放射源上的有机膜,获得无衬底超薄镍‑63放射源。本发明制备得到无衬底超薄镍‑63放射源为双面放射源,厚度小于2μm,表面平整,无褶皱和破损,镍层致密均匀,有金属光泽;本发明工艺简便,操作简单,电沉积率大于90%。
搜索关键词: 一种 衬底 超薄 63 放射源 制备 方法
【主权项】:
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