[发明专利]一种抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路

摘要

本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路，包括SiC MOSFET上桥臂和下桥臂；每个桥臂都包含第一开关管、第二开关管，第一供电电压源、第二供电电压源、开通栅极电阻、关断栅极电阻、三极管、二极管、电容、电阻。本发明确保在同一桥臂中，发生正向串扰时SiC MOSFET不会误导通，发生负向串扰时不会出现反向击穿。可通过调节电阻关断栅极电阻和电阻的值调节桥臂SiC MOSFET栅极驱动负电压；且抑制串扰的辅助电路只使用无源器件，整体结构简单，容易实现。本发明适用各种型号的SiC MOSFET。