[发明专利]一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法有效
| 申请号： | 202110702453.9 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113417002B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 万能;张思源;田明;陈若望;施辉;王明渊 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C30B9/10 | 分类号： | C30B9/10;C30B29/38 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法，所述制备方法具体过程如下：在氮气流中，将一定配比的三元合金放在六方氮化硼粉末上，先高温加热使合金熔融，保持一段时间，后以极低速度降温，在保持高温与缓慢降温的过程中，晶体会在金属合金表面生长，最终生长出大面积高质量的六方氮化硼单晶。目前阻碍二维材料六方氮化硼研究的主要问题就是高质量高产量的体单晶难以制备，成本高，而该方法结构简单，其关键工艺为合金成分以及比例，本方法使用的合金成分主要为铁、镍、铬三种，稳定配比情况下，生长效果显著，成本较低，对于推进六方氮化硼的广泛应用具有很大积极意义，同时对其他半导体材料或二维材料的研究与发展也有一定的启发。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 厘米 尺寸 氮化 硼单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
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