[发明专利]一种具有增强的抗辐射性能的模拟集成电路加工方法有效
| 申请号： | 202110704001.4 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113436966B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 林和;牛崇实;洪学天;黄宏嘉;张维忠 | 申请（专利权）人： | 弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 赵银萍 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道三*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种具有增强的抗辐射性能的模拟集成电路加工方法。所述方法包括：在硅衬底的隔离单晶区中形成含有源元件和无源元件的集成电路之后，将含有有源元件和无源元件的集成电路中的辐射敏感级联的晶体管制成复合形式的晶体管；通过α‑粒子对复合形式的晶体管进行辐照，将所述复合形式的晶体管的辐射缺陷引入发射极‑基极结来调节复合晶体管的增益系数；利用γ‑粒子辐照所述集成电路中的所有元件；在γ‑粒子辐照所有元件后，对所述集成电路进行稳定退火处理，所述稳定退火时间与形成所述集成电路过程中的原型退火时间一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 增强 辐射 性能 模拟 集成电路 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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