[发明专利]一种微型半导体发光器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110705796.0 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113594307A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 颜改革;谭胜友;朱酉良;蒋振宇;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/48 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种微型半导体发光器件及其制造方法。该微型半导体发光器件包括：转移衬底；第一功能层，包括顺序连接的第一子部、第二子部和第三子部；第二功能层，包括顺序连接的第四子部、第五子部和第六子部；发光二极管；其中，第一子部与第四子部组成支撑部，二者依次层叠设置在转移衬底的一侧；第二子部与第五子部组成悬空薄壁部，二者依次层叠设置且与转移衬底无接触；第三子部、第六子部以及发光二极管组成悬空发光部且与转移衬底无接触；其中，支撑部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度，且悬空薄壁部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度。通过上述方式，能够提高悬空发光部转移的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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