[发明专利]一种利用SRAM在FPGA验证平台上的验证模型及方法在审

专利信息
申请号: 202110705807.5 申请日: 2021-06-24
公开(公告)号: CN113569525A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 张金磊;黃俊欽 申请(专利权)人: 合肥松豪电子科技有限公司
主分类号: G06F30/398 分类号: G06F30/398
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 代理人: 刘勇
地址: 230000 安徽省合肥市高新区创新*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于IC的技术领域,尤其涉及一种利用SRAM在FPGA验证平台上的验证模型及方法。模型包括依次设置且双向通信的master模块、EFLASH_CTRL模块、EFLASH_To_RAM模块,所述EFLASH_To_RAM模块的另一输出端还与RAM存储器连接。本发明中提到的TP IC的CPU核运行空间就是Eflash。由于Eflash在TP IC生产的时候是由Foundry厂直接提供的版图文件,而此文件不可以在FPGA平台上使用。所以本发明针对FPGA平台提出了基于FPGA的RAM资源搭建一个Eflash模型用于TP IC的FPGA验证。
搜索关键词: 一种 利用 sram fpga 验证 平台 模型 方法
【主权项】:
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