[发明专利]一种利用SRAM在FPGA验证平台上的验证模型及方法在审
申请号: | 202110705807.5 | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN113569525A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 张金磊;黃俊欽 | 申请(专利权)人: | 合肥松豪电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398 |
代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 刘勇 |
地址: | 230000 安徽省合肥市高新区创新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明属于IC的技术领域,尤其涉及一种利用SRAM在FPGA验证平台上的验证模型及方法。模型包括依次设置且双向通信的master模块、EFLASH_CTRL模块、EFLASH_To_RAM模块,所述EFLASH_To_RAM模块的另一输出端还与RAM存储器连接。本发明中提到的TP IC的CPU核运行空间就是Eflash。由于Eflash在TP IC生产的时候是由Foundry厂直接提供的版图文件,而此文件不可以在FPGA平台上使用。所以本发明针对FPGA平台提出了基于FPGA的RAM资源搭建一个Eflash模型用于TP IC的FPGA验证。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 sram fpga 验证 平台 模型 方法 | ||
【主权项】:
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