[发明专利]一种光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110707371.3 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113437165B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 赵晓龙;丁梦璠;于舜杰;龙世兵;徐光伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/109;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种光电探测器，可应用于深紫外及X射线的探测方面，包括：衬底；氧化镓体结材料光敏层，其位于所述衬底上，其中，氧化镓体结材料光敏层由和氧化镓构成II型异质结的半导体材料与氧化镓按照预置比例混合构成；对电极，相对设置在氧化镓体结材料光敏层上表面或氧化镓体结材料光敏层上下表面。本公开还提供了一种光电探测器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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