[发明专利]传感器单元、辐射检测器、制造传感器单元的方法和使用传感器单元的方法在审
| 申请号： | 202110710089.0 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113851497A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | C·乌尔博格 | 申请（专利权）人： | 直接转换公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01T1/24;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑振 |
| 地址： | 瑞典丹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种传感器单元(14、14a、14b)，包括：转换元件(22、22a、22b)，所述转换元件包括多个成像像素(26、26b、28、28b、60)，每个成像像素(26、26b、28、28b、60)被配置为将辐射直接转换为电荷，每个成像像素(26、26b、28、28b、60)包括电荷收集电极(30、30b)，并且所述成像像素(26、26b、28、28b、60)包括第一成像像素(26、26b)和第二成像像素(28、28b)；以及读出基板(40)，所述读出基板包括布置成网格的多个读出像素(42)，每个读出像素(42)通过所述电荷收集电极(30、30b)上的连接位置(50)处的互连部分(44)连接至相关联的成像像素(26、26b、28、28b、60)；其中所述第二成像像素(28、28b)相对于所述第一成像像素(26、26b)在移位方向(36)上移位；并且其中在所述第一成像像素(26、26b)与所述第二成像像素(28、28b)之间相对于所述电荷收集电极(30、30b)的所述连接位置(50)是不同的。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 单元 辐射 检测器 制造 方法 使用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
