[发明专利]一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置在审
| 申请号： | 202110711484.0 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113314593A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡锦波;陈林 | 申请（专利权）人： | 马鞍山市槟城电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市经济*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置。其中，半导体放电管包括：半导体衬底、多个导电块和两个电极，在半导体衬底的任一器件单元区中，第一导电块与第一扩散区和第四扩散区电连接；第二导电块与第一扩散区和第五扩散区电连接；由第三扩散区通过第一扩散区到达最近的第一短路点的最短电流流通路径上，依次经过与第四扩散区相接触的那部分第一扩散区、第二短路点和与第五扩散区相接触的那部分第一扩散区；第四扩散区靠近第三扩散区的一端到第二短路点的最短距离大于第五扩散区靠近第四扩散区的一端到第一短路点的最短距离。本发明实施例提供的技术方案可实现低转折电流高维持电流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 放电 及其 制作方法 过电压 保护装置 | ||
【主权项】：
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