[发明专利]具有可调电压的场板的GaN HEMT器件在审
| 申请号： | 202110711657.9 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN115528105A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 岳丹诚;莫海锋 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有可调电压的场板的GaN HEMT器件。所述GaN HEMT器件包括：叠层设置的异质结、介质层和绝缘结构层，所述异质结内形成有二维电子气，源极、漏极和栅极，其设置在所述介质层上并与所述异质结接触，所述源极和漏极能够通过所述二维电子气连接；以及，所述源极、漏极还分别与第一电连接结构、第二电连接结构连接，并分别经所述第一电连接结构、第二电连接结构引出至器件外部；场板，至少所述场板的局部设置在所述栅极和漏极之间，且所述场板还与第三电连接结构连接，并经所述第三电连接结构引出至器件外部。本发明提供的GaN HEMT器件通过调节电场，减弱了由于电场分布不均带来的电荷陷阱注入问题，进一步提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可调 电压 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州华太电子技术股份有限公司，未经苏州华太电子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110711657.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种通用型可移开式快速灭弧器
- 下一篇：具有可调电压的场板的LDMOS器件
- 同类专利
- 专利分类
