[发明专利]一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法有效
| 申请号： | 202110711924.2 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113463200B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王新强;刘强;刘放;盛博文 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;B23P15/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法。本发明采用钨、钌和钼中的一种，或者采用钨、钌和钼中的一种的碳化物或氮化物的限域生长环，经过清洗、退火和激活使限域生长环的功能面具备化学活性；将限域生长环置于反应炉生长区中，生长过程中限域生长环对晶体侧向生长进行限制，从而阻止晶体的边缘生长，遏制生长过程中产生边缘效应，减少生长过程中产生的应力，最终实现厘米级GaN体晶生长；本发明实现方法简单，根据现有的技术水平能够容易实现，并大量推广；限域生长环能够经过热清洗后重复使用，节约了限域生长环的制作成本，经济实用；限域生长环能够根据不同HVPE反应炉生长区的不同结构进行优化设计，通用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 hvpe 反应炉 生长 氮化物 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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