[发明专利]具有高温电绝缘的功率半导体器件在审
| 申请号： | 202110712581.1 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113851428A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 大卫·理查德·埃斯勒;艾玛德·A·安达拉维斯 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 徐颖聪 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种器件(100)，包括：高温半导体器件(102)，高温半导体器件(102)包括第一表面(104)，其中，高温半导体器件(102)包括有源区域(106)和与有源区域(106)相邻设置的端接区域(108)；无机介电绝缘层(130)，无机介电绝缘层(130)设置在第一表面上，其中，无机介电绝缘层(130)填充在整个端接区域(108)上延伸的体积，并且包括大于或等于25μm且小于或等于500μm的厚度(144)；以及电连接器(116)，电连接器(116)将高温半导体器件(102)的有源区域(106)连接到器件(100)的附加部件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高温 绝缘 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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