[发明专利]一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片在审
申请号: | 202110713225.1 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN113437182A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 刘泉;陈太昌;祁嘉铭;陈家健;方贵允 | 申请(专利权)人: | 东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/225;H01L31/0288;C23C16/34;C23C16/40;C30B29/06;C30B30/00;C30B31/08;C30B33/00;C30B33/02;C30B33/10 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 武志峰 |
地址: | 523000*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片,该扩散工艺包括:在扩散炉管内,将制绒后的硅片通入携带三氯氧磷的小氮,在第一温度下沉积磷源,并在第二温度下通入氧气和大氮进行高温推进得到PN结;通入携带三氯氧磷的小氮,二次沉积磷源,进而在硅片表面形成含低浓度磷源的磷硅玻璃层;通入大氮对进行吹扫,结束扩散,在硅片表面获得含低浓度磷源的发射极。本发明采用两步通源沉积的方式,使三氯氧磷均在低温环境下沉积,可以使硅片表面浓度充分降低,同时通过控制磷源沉积的大氮、氧气和小氮的气体流量比来保证PN结的均匀性,可以有效提高太阳能电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 扩散 工艺 制备 方法 硅片 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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