[发明专利]一种AlGaN基紫外激光器的生长方法有效
| 申请号： | 202110716151.7 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113445130B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 王军喜;王大地;郭亚楠;刘志彬;闫建昌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/68 | 分类号： | C30B29/68;C30B23/02;C30B25/02;C30B29/40;C30B33/02;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面，来缓解AlGaN厚膜的应力，显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小，后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并，形成原子级平整表面，进而生长得到高质量的紫外激光器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algan 紫外 激光器 生长 方法 | ||
【主权项】：
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