[发明专利]铟铁凸点复合微晶压电盘有效
| 申请号： | 202110717052.0 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113517389B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 林绍义;林雪莲;林逸彬 | 申请（专利权）人： | 福建船政交通职业学院 |
| 主分类号： | H10N30/85 | 分类号： | H10N30/85 |
| 代理公司： | 福州智理专利代理有限公司 35208 | 代理人： | 康永辉 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了铟铁凸点复合微晶压电盘,本发明的铟铁凸点复合微晶压电盘是在压电盘零件表面设一含铟超过60%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)的复合材料层，在复合材料层表面设有许多个凸点微晶，每个凸点微晶高度大于100nm且小于500μm、直径大于100nm且小于500μm的顶部为球状或近似球状、含铟超过60%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)，凸点微晶与复合材料层成为一体；零件表面复合材料层和基体材料成为一体；去除各小孔附着的材料层，形成铟铁凸点复合微晶压电盘。 | ||
| 搜索关键词： | 铟铁凸点 复合 压电 | ||
【主权项】：
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