[发明专利]晶片去胶方法在审
| 申请号： | 202110718141.7 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113504714A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张基智;吴长明;姚振海;陈骆;王绪根;朱联合 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种能够去除表面碎晶屑的晶片去胶方法。该晶片去胶方法包括依次以下步骤：提供表面覆盖有光刻胶的晶片，所述光刻胶中嵌入有碎晶屑；使得所述晶片以第一转速旋转；向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑；向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑。本申请提供的一种晶片去胶方法，可以解决相关技术中不能有效去除嵌入在光刻胶中碎晶屑的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 方法 | ||
【主权项】：
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