[发明专利]批处理式离子注入方法在审
| 申请号： | 202110719090.X | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113539803A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 施志明;李文军;孙建军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种批处理式离子注入方法，涉及半导体制造领域。该方法包括将晶圆传送至批处理离子注入机的工艺腔内，晶圆表面涂布有光刻胶；对晶圆进行第一步离子注入，令光刻胶释放气体且工艺腔内的气压在预定范围内；当批处理离子注入机的工艺腔内的气压满足气压稳定条件时，对晶圆进行第二步离子注入；第一步离子注入时的束流小于第二步离子注入时的束流，第一步离子注入时的注入剂量小于第二步离子注入时的注入剂量，第一步离子注入的注入剂量与第二步离子注入的注入剂量之和等于目标剂量；解决了目前批处理离子注入机台在单道注入时容易出现多次注入中断，影响产能、增加产品缺陷风险的问题；达到了减少离子注入时间，改善颗粒缺陷的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 批处理 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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