[发明专利]存储器器件及制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110720262.5 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113536727A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 藤原英弘;林志宇;陈炎辉;赵威丞;粘逸昕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;H01L27/02;G06F111/04 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了一种存储器器件，包括：有源区；栅电极，相对于四个对应轨迹线基本对准，使得存储器器件具有四个接触多晶硅间距(4CPP)的宽度，并电耦合至有源区；接触件到晶体管元件结构(MD结构)，电耦合至有源区，并散布在栅电极中的对应栅电极之间；通孔到栅极/MD(VGD)结构，电耦合至栅电极和MD结构；导电部，在第一金属化层(M_1st层)中，并电耦合至VGD结构；掩埋接触件到晶体管元件结构(BVD结构)，电耦合至有源区；以及掩埋导电部，在第一掩埋金属化层(BM_1st层)中，并电耦合至BVD结构，并对应地提供第一参考电压或第二参考电压。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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