[发明专利]一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构

摘要

本发明提供一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，分别包括单元A和单元B的第一至第四单元；单元A和单元B分别包括：第一至第三Fin结构；第一至第三Fin结构设有第一栅极；单元B的第一栅极一端通过其第一栅极金属与单元A中靠近其第三Fin结构末端的第一金属连接；第一、第四单元的单元A中的第一、第二Fin结构的末端通过各自的第四金属相互连接；第一、第四单元的单元B中的第三Fin结构的首端通过各自的第三金属相互连接；第一、第四单元的单元B中的第一、第二Fin结构的首端通过各自的第二金属相互连接。本发明将最外层的Fin间距减小2～6nm，将扩大金属栅极端帽层的性能，同时不会牺牲层间介质层间隙填充窗口。